به گزارش ایسنا و به نقل از گیزمگ، در حال حاضر تحقیقات زیادی در حال بررسی روش‌های تحریک مغز است. برخی از این تحقیقات از روش غیرتهاجمی تحریک مغزی به نام "تحریک مغناطیسی مغز از راه جمجمه" (TMS)استفاده می‌کنند، که در آن یک پالس مغناطیسی برای تحریک کردن فعالیت الکتریکی در یک ناحیه مورد هدف مغز، استفاده می‌شود.

از طرفی "تحریک عمقی مغز" (DBS)، شامل شلیک دقیق پالس‌های الکتریکی از طریق قرار دادن الکترودها به مناطق انتخابی مغز است. بیش از 20 سال، تحریک عمقی مغز برای درمان بیماری پارکینسون و بیماری صرع مورد استفاده قرار گرفته است.

در این دو مطالعه با حضور افرای که برای درمان بیماری صرع، الکترودهایی روی نواحی مختلف مغزشان قرار داده شده بود، راه‌هایی که می‌تواند جریان الکتریکی حافظه و یادگیری را بهبود بخشد بررسی شد. هر دو مطالعه بر روی "قشر جانبی گیجگاهی" مغز به عنوان یک منطقه کلیدی برای تقویت حافظه متمرکز شده بودند.

اولین مطالعه به وسیله محققان کلینیک "مایو" انجام گرفت، که در آن 22 فرد را مورد بررسی قرار دادند تا لیستی از کلمات را در حالیکه تحریکات الکتریکی به یکی از چهار ناحیه مختلف مغز اعمال می‌شد، بخوانند. سپس این افراد باید آن کلمات را بیاد می‌آوردند تا محققان ببینند آیا تحریکات الکتریکی، حافظه کوتاه مدت کلامی آنها را تحت تاثیر قرار ‌می‌دهد یا خیر.

چهار فرد که تحریکات الکتریکی بر روی ناحیه قشر جانبی مغز آنها اعمال شده بود، کلمات قابل ملاحظه بیشتری نسبت به سایر افرادی که تحریکات الکتریکی بر روی ناحیه های مختلف مغزی آنها اعمال شده بود، به یاد آوردند.

دومین مطالعه که توسط محققان دانشگاه "پنسیلوانیا" انجام گرفت، تحریکات الکتریکی در همان ناحیه مغز را مورد آزمایش قرار داد اما آنها تمرکزشان بر این بود که ببیند آیا زمان پالس‌های الکتریکی بر نتیجه نهایی حافظه تاثیر می‌گذارد یا خیر.مطالعات پیشین این تیم نشان داده بود که اگر پالس‌های الکتریکی در زمان نادرست ارسال شوند، می‌توانند تاثیرات منفی بر حافظه داشته باشند.

مطالعه محققان دانشگاه "پنسیلوانیا"نشان داد که زمانبندی دقیق پالس‌ها، کلید رسیدن به نتیجه موفقیت آمیز است.

تحقیقات کلینیک مایو در مجله "Brain" منتشر شده و تحقیقات دانشگاه پنسیلوانیا در مجله "Nature Communications" منتشر شده است.

انتهای پیام