محققان دانشگاه کیونگ‌هی و شرکت سامسونگ الکترونیکز برای اولین بار از نقاط کوانتومی گرافنی برای ساخت حافظه‌های فلش استفاده کردند این نقاط می‌توانند تراکم حافظه را افزایش دهند.

به گزارش سرویس فناوری ایسنا، حافظه‌های فلش امروزی اطلاعات را به‌ صورت بار الکتریکی روی لایه‌های پلی سیلیکون ذخیره می‌کنند. از آنجایی که پلی‌سیلیکون یک ماده یکنواخت است، هر گونه نقص ساختاری در آن می‌تواند موجب برهم‌کنش با بار شده و جنبش بار الکتریکی را محدود کند. این کار در نهایت موجب محدود شدن تراکم اطلاعات قابل ذخیره می‌شود.

محققان برای رفع این مشکل، بر ذخیره‌سازی اطلاعات روی دام‌های بار مجزا (نظیر نانوبلورها به جای لایه‌های پلی‌سیلیکونی) کار می‌کنند. دام‌های بار مجزا مانع حرکت‌های ناخواسته بارها می‌شوند که دلیل این امر حساسیت کم این دام‌ها به نقص‌های ساختاری است. بنابراین می‌توان با استفاده از این دام‌ها، ادوات ذخیره‌سازی اطلاعات با تراکم بالا ساخت.

اخیراً محققان از نقاط کوانتومی گرافنی به جای نانوبلورها برای ساخت دام بار مجزا استفاده کردند.

هر چند که گرافن ماده‌ای جذاب برای ساخت نسل جدید ادوات الکترونیکی است اما ساخت حافظه‌های گرافنی هنوز در مراحل اولیه خود قرار دارد. نقاط کوانتومی گرافنی، مواد بسیار جدیدی هستند که می‌توانند به صورتی مهندسی شوند که خواص نوری و الکترونیکی ویژه‌ای داشته باشند.

این گروه تحقیقاتی نقاط کوانتومی با ابعاد مختلف (6، 12 و 27 نانومتر) را تولید کردند که در میان لایه‌های دی‌اکسید سیلیکون قرار دارد. نتایج یافته‌های محققان نشان داد که خواص حافظه‌های نقاط کوانتومی گرافنی بستگی به ابعاد نقاط دارد. برای مثال، نقاط 12 نانومتری سرعت نگارش اطلاعات بسیار بالایی دارند در حالی که نقاط 27 نانومتری سرعت پاک شدن بالاتری دارند.

سو هو چوی از محققان این پروژه می‌گوید: «این اولین باری است که با استفاده از نقاط کوانتومی گرافنی حافظه‌های فلش ساخته می‌شود، هر چند که ویژگی‌های آن‌ها هنوز با حافظه‌های تجاری موجود در بازار فاصله دارد. این اولین باری است که از نقاط کوانتومی گرافنی به‌صورت عملی در ساخت یک دستگاه استفاده می‌شود.»

نتایج پژوهش‌های محققان در نشریه Nanotechnology به چاپ رسیده است.

انتهای پیام