• پنجشنبه / ۱۶ خرداد ۱۳۹۲ / ۱۰:۰۰
  • دسته‌بندی: علم
  • کد خبر: 92031608676

افزایش کارایی پیل‌های خورشیدی با نقاط کوانتومی

افزایش کارایی پیل‌های خورشیدی با نقاط کوانتومی

محققان آمریکایی با اعمال پوششی از جنس نقاط کوانتومی CdSe/ZnS روی مواد آلی مبتنی بر پیرولین، موفق به ارائه ترکیب جدیدی شدند که می‌تواند کارایی پیل‌های خورشیدی را افزایش دهد.

محققان آمریکایی با اعمال پوششی از جنس نقاط کوانتومی CdSe/ZnS روی مواد آلی مبتنی بر پیرولین، موفق به ارائه ترکیب جدیدی شدند که می‌تواند کارایی پیل‌های خورشیدی را افزایش دهد.

به گزارش سرویس فناوری ایسنا، یک تیم تحقیقاتی از مرکز نانومواد در دانشگاه نورث‌وسترن با همکاری محققانی از گروه نانوفتونیک این دانشگاه موفق شدند مواد آلی مبتنی بر پیرولین (MOF) را با استفاده از نقاط کوانتومی CdSe/ZnS پوشش‌دهی کنند. با این کار می‌توان ترکیباتی ایجاد کرد که قادر به تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریسیته با کارایی بالا هستند. نتایج این پژوهش مسیر تولید ادوات تبدیل انرژی خورشیدی را هموار می‌کند.

مزیت اصلی ترکیبات MOF آن است که خواص انتقال انرژی بالایی دارد، به‌ همین دلیل در کاربردهای فتوشیمی این ماده می‌تواند مفید باشد. در کنار این مزیت، این ترکیب دارای محدودیتی است؛ باند جذب آن در طیف نور مرئی بسیار محدود است. نقاط کوانتومی دارای جذب مناسبی در منطقه نور مرئی هستند، بنابراین در صورت ترکیب با MOF این مواد طیف وسیع‌تری را تحت پوشش قرار می‌دهند.

مطالعات نشر نوری این ترکیب نشان می‌دهد که خاصیت برانگیختگی نقاط کوانتومی در صورت ترکیب شدن با خواص انتقال انرژی MOF می‌تواند کارایی این سیستم را تا 80 درصد افزایش دهد. نتایج این تست نشان می‌دهد که فوتون‌های جذب شده توسط تک لایه MOF بیش از 50 درصد افزایش داشته است. محققان گروه‌های موجود در مولکول‌های پروفیرن ترکیب MOF را تغییر دادند و در نهایت با این کار خواص انیزوتروپی سیستم را افزایش دادند.

نتایج این پژوهش در قالب دو مقاله‌ تحت عناوین Energy Transfer from Quantum Dots to Metal-Organic Frameworks for Enhanced Light Harvesting," J. Am. Chem. Soc و Light Harvesting and Ultrafast Energy Migration in Porphyrin-Based Metal-Organic Frameworks در نشریه J. Am. Chem. Soc به چاپ رسیده است.

انتهای پیام

  • در زمینه انتشار نظرات مخاطبان رعایت چند مورد ضروری است:
  • -لطفا نظرات خود را با حروف فارسی تایپ کنید.
  • -«ایسنا» مجاز به ویرایش ادبی نظرات مخاطبان است.
  • - ایسنا از انتشار نظراتی که حاوی مطالب کذب، توهین یا بی‌احترامی به اشخاص، قومیت‌ها، عقاید دیگران، موارد مغایر با قوانین کشور و آموزه‌های دین مبین اسلام باشد معذور است.
  • - نظرات پس از تأیید مدیر بخش مربوطه منتشر می‌شود.

نظرات

شما در حال پاسخ به نظر «» هستید.
لطفا عدد مقابل را در جعبه متن وارد کنید
captcha