نيمه رساناهاي مغناطيسي، نقش مهمي را در انتقال اطلاعات و نيز ضبط اطلاعات در قطعات الکترونيکي (همچون ديسک‌هاي مغناطيسي و ديودها) ايفا مي‌کنند. براي توليد نيمه رساناهاي مغناطيسي مي‌توان مواد مغناطيسي را در داخل نانولوله‌هاي کربني، دوپ كرد.
به گزارش سرويس پايان‌نامه خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، دکتر مراديان، استاد دانشگاه رازي کرمانشاه با همکاري علي فتحعليان، دانشجوي دکتري اين دانشگاه، در قالب يک رساله دکتري به بررسي نظري امکان توليد نانولوله‌هاي نيمه‌رسانا با خاصيت مغناطيسي پرداخته‌اند. در اين تحقيق، همچنين، گاف انرژي نانولوله‌هاي کربني با استفاده از درصد ناخالصي، کنترل شده و با افزايش درصد ناخالصي، امکان تبديل نانولوله نيمه‌رسانا به نوع فلزي آن بررسي شده است.
دکتر مراديان درباره روند اجراي اين طرح گفت: اين کار با استفاده از روش «بس ذره‌يي» انجام شده‌است؛ بدين ترتيب که ابتدا براي سيستم، يک هاميلتوني تعريف شده است که شامل نانولوله کربني و ناخالصي مغناطيسي مي‌باشد. در ادامه خواص فيزيکي، چگالي حالت‌ها، دماي کوري و مغناطيس شدگي براي الکترونهاي با اسپين بالا و پايين محاسبه شده‌است. نتايج به‌دست آمده نشان مي‌دهد که دوپ کردن عنصر مغناطيسي باعث تغيير در گاف انرژي براي نانولوله‌هاي نيمه‌رسانا مي‌شود.
وي خاطرنشان كرد: بسته به قدرت ناخالصي مغناطيسي امکان فلز‌شدن نانوله‌هاي کربني براي الکترونهاي با اسپين پايين و نيمه‌رسانا‌شدن آنها براي الکترونهاي با اسپين بالا، وجود دارد. ازاين‌رو، از اين وسيله مي‌توان براي فيلتر کردن يا جدا كردن الکترونهاي با اسپين بالا و پايين در قطعات اسپينترونيک (که با اسپين الکترون‌ها کار مي‌کنند)، استفاده کرد.
بنابر اعلام ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، جزئيات اين کار تحقيقاتي که از حمايت‌هاي تشويقي ستاد بهره‌مند شده در سال 2007 در مجلة بين‌المللي Nanoscience منتشر شده است.
انتهاي پيام