تیم تحقیقاتی دانشگاه کالیفرنیا با همکاری محقق ایرانی با استفاده از ولتاژ الکتریکی به جای جریان الکتریکی به پیشرفت عمده‌ای در طراحی حافظه مغناطیسی (MRAM) فوق سریع و با ظرفیت بالا دست یافتند.

به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، در حال حاضر حافظه مغناطیسی بر پایه فناوری موسوم به اسپین انتقال گشتاور (STT) استوار است که از اسپین الکترون استفاده می‌کند؛ اما این حافظه به مقدار معینی انرژی نیاز دارد و ظرفیت حافظه نیز محدود است.

حافظه مغناطیسی موسوم به MeRAM از پتانسیل بسیار بالایی برای آینده تراشه‌های حافظه در دستگاه‌هایی مانند تلفن همراه هوشمند، رایانه ها و ذخیره سازی داده حالت جامد (SSD) برخوردار است.

این حافظه ترکیبی از انرژی پایین با سرعت بالا در خواندن و نوشتن داده ها و توانایی فلش مانند برای حفظ داده‌ها در شرایطی است که هیچ انرژی اعمال نمی‌شود.

در حافظه MeRAM برای نوشتن داده ها، جریان الکتریکی STT با ولتاژ جایگزین می شود؛ این اقدام نیاز به حرکت تعداد زیادی از الکترون ها را در طول سیم کاهش می دهد؛ در این شرایط کارآمدی مصرف انرژی سیستم بین 10 تا یک هزار برابر افزایش پیدا می کند.

«پدرام خلیلی امیری» دانشیار پژوهشی مهندسی برق دانشگاه کالیفرنیا، لس آنجلس(UCLA) و همکار این طرح تأکید می کند: توانایی سوئیچ مغناطیسی در مقیاس نانو با استفاده از ولتاژ پایین، یک دستاورد چشمگیر و پیشرفت سریع تحقیقات در حوزه مغناطیس محسوب می شود.

توسعه این فناوری بشکل یک محصول علاوه بر کاهش میزان مصرف انرژی، می تواند باعث فراهم شدن زمینه کاربردهای جدید شود که به کاهش هزینه ها و افزایش ظرفیت حافظه منجر می شود.

انتهای پیام